分类:

当前位置: 首页 > 工业电子产品 > 无源元器件 > MOSFET > NMOSFET

+比较

Nexperia PMV27UPEAR MOSFET

订 货 号:PMV27UPEAR      品牌:PMV

库存数量:10             品牌属性:

RoHS:符合

市 场 价:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

-
+

公司基本资料信息

联系人:(女士)
电 话:
手 机:
地 址:
通 讯:    
主营产品:
店铺主页

您还不是会员,无法查看相关信息

去登录
  • 替代产品
  • 关联产品

推荐商品

  • 产品介绍
  • 产品属性
  • 相关资料
  • 产品评价(0)
Nexperia PMV27UPEAR MOSFET
产品详细信息

当 N 沟道不适合您的设计时,P 沟道 MOSFET 将会特别适合您的设计,我们广泛的 MOSFET 产品目录还包括许多 P 沟道设备系列,基于 Nexperia 的领先 Trench 技术。额定电压范围为 12 V 到 70 V,采用中低功率封装,提供我们熟悉的高效率和高可靠性。

20 V,P 沟道 Trench MOSFET,P 沟道增强型场效应晶体管 (FET) 采用小型 SOT23 (TO-236AB) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装,采用 Trench MOSFET 技术。

Trench MOSFET 技术
低阈值电压
超快切换
增强型功耗能力:Ptot = 980 mW
静电放电 (ESD) 保护 2 kV HBM
符合 AEC-Q101
LED 驱动器
电源管理
高侧负载开关
开关电路


属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 -5.6 A
最大漏源电压 -20 V
封装类型 SOT23, TO-236AB
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 63 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 -0.95V
最小栅阈值电压 -0.45V
最大功率耗散 4150 mW
晶体管配置
最大栅源电压 8 V
长度 3mm
典型栅极电荷@Vgs 14.7 nC @ 10 V
宽度 1.4mm
最高工作温度 +150 °C
每片芯片元件数目 3
暂无
正在载入评论详细...