the Infineon ex场 系列 n 沟道功率 mosfet 。它适用于切换低于 <100KHz 的应用。
无铅，符合 RoHS
增强的主体二极管 dv/dt 和 di/dt 能力
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 71 A |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | IPAK (TO-251) |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0079 Ω |
| 最大栅阈值电压 | 3.7V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
