为了提高效率、功率密度和成本效益、开发了英飞凌公司的最佳 mos n 通道功率式功率半导体器件。专为高性能应用而设计、并针对高切换频率进行了优化、因此、这些产品具有业内最佳的品质。现在、作为强大的 irfet 的补充、该产品组合提供了一个真正强大的组合。得益于强大的 irfet 功率极高的器件和出色的性价比以及杰出的最佳的技术。两个产品系列都能满足高品质标准和性能要求。该接合产品组合涵盖 12V 至 300V 的电压、可满足从低到高切换频率的各种需求、如开关电源、电池供电应用、电动机控制和驱动器、变频器和计算。
宽 soa 的平面单元结构
针对分销合作伙伴提供的最广泛可用性进行了优化
产品资格符合 dec 标准
硅经优化用于切换低于 <100KHz 的应用
工业标准表面安装电源封装
能够进行波焊
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 5.4 A |
最大漏源电压 | 100 V |
封装类型 | SO |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 0.039 o |
通道模式 | 增强 |
最大栅阈值电压 | 20V |
每片芯片元件数目 | 2 |