hex场 ® 功率 mosfet 硅技术的英飞凌设计采用先进的 direct 东帝汶技术封装，在一个封装尺寸仅为 so-8 和 0.7 mm 的封装中实现最低的通态电阻 Advanced Infineon 封装尺寸。当在制造方法和工艺方面遵循应用说明 a-1035 时、 direct场 封装与电源应用、印刷电路板装配设备和汽相、红外或对流焊接技术中使用的现有布局几何结构兼容。
100% rg 测试低传导和切换损耗
超低封装电感、特别适用于 cpu 内核直流 - 直流转换器
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 150 A |
| 最大漏源电压 | 20 V |
| 封装类型 | Direct场 等轴测 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最大漏源电阻值 | 0.0036. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.45V |
| 晶体管材料 | 硅 |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
