the Infineon 150V 单 n 通道 hex场 功率 mosfet 。此数字音频 mosfet 专门设计用于 d 类音频放大器应用。此 mosfet 利用最新的处理技术实现每个硅区域的低接通电阻。低电感通过减少随快速电流瞬变产生的电压振荡来提高 emi 性能。
最新 mosfet 硅技术
兼容双面冷却
与现有表面安装技术兼容
无铅
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 28 A |
| 最大漏源电压 | 150 V |
| 封装类型 | Direct东帝汶 信托基金 (m) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 最大漏源电阻值 | 0.056 Ω |
| 最大栅阈值电压 | 5V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 晶体管材料 | Si |
