采用SOT-223封装的英飞凌OptiMOS™ P沟道小信号MOSFET 60V，是针对消费者应用的新技术。P 沟道型小信号器件的主要优点是减少中等和低功率应用中的设计复杂性。
易于接口至MCU
快速切换
雪崩坚固性
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | P |
| 最大连续漏极电流 | 190 mA |
| 最大漏源电压 | 60 V |
| 封装类型 | PG-SOT223-3 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
