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Texas Instruments CSD87335Q3DT MOSFET

订 货 号：CSD87335Q3DT      品牌：德州仪器_Texas Instruments

库存数量：10             品牌属性：

RoHS：符合

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Texas Instruments CSD87335Q3DT MOSFET
产品详细信息

Power MOSFET Modules, Texas Instruments

半桥 NexFET 电源块

MOSFET 晶体管，Texas Instruments


属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 70 A
最大漏源电压 30 V
封装类型 LSON-CLIP
安装类型 表面贴装
引脚数目 8
通道模式 增强
最大栅阈值电压 1.2V
最小栅阈值电压 0.75V
最大功率耗散 6 W
晶体管配置 双基座
最大栅源电压 -8 V，+10 V
最高工作温度 +150 °C
长度 3.4mm
典型栅极电荷@Vgs 11 nC，19 nC
每片芯片元件数目 2
宽度 3.4mm
暂无
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