ON Semiconductor 工业功率 MOSFET 采用 8x8mm 扁平引线封装,设计用于紧凑型高效设计,包括高热性能。可润侧翼,可增强光学检验。它可用于反向器电池保护,开关电源和电源开关。
紧凑设计
有效减少传导损耗
有效减少驱动器损耗
增强的光学检验
属性 | 数值 |
---|---|
通道类型 | N |
最大连续漏极电流 | 165 A |
最大漏源电压 | 150 V |
封装类型 | DFNW8. |
安装类型 | 表面贴装 |
引脚数目 | 8 |
最大漏源电阻值 | 0.00445 Ω |
最大栅阈值电压 | 4.5V |
每片芯片元件数目 | 1 |