Infineon CoolMOS C7 镀金超结 MOSFET 系列 (G7) 结合了改进的 600V CoolMOS ™ C7 镀金技术的优点， 4 引脚 Kelvin 源容量和 TO 无铅 (Toll) 封装的改进热特性，可为高达 3kW 的高电流硬切换拓扑 (如功率因数校正 (PFC)) 和高端 LLC 等谐振电路提供可能的 SMD 解决方案。
提供杰出 FOM R DS (on) XE OSS 和 R DS (on) XQ G
以最小的占用空间启用杰出 R DS (on)
内置第 4 引脚 Kelvin 源配置和低寄生源电感 (∼1nH)
符合 MSL1 标准，完全无铅，具有轻松的 Visual 检查槽形引线
可提高热性能
由于改进的 C7 Gold 技术和更快的切换速度，效率更高
由于具有低 R DS (on) 和小尺寸，通过更换封装 (高度限制) 或由于热或 R DS (on) 要求而并联 SMD 封装，提高了功率密度
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 23 A |
| 最大漏源电压 | 650 V |
| 封装类型 | PG-HSOF-8. |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 0.15. Ω |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 4V |
| 每片芯片元件数目 | 2 |
