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Toshiba TK55S10N1 MOSFET

订 货 号:TK55S10N1      品牌:东芝_Toshiba

库存数量:10             品牌属性:

RoHS:符合

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Toshiba TK55S10N1 MOSFET
产品详细信息

汽车
开关稳压器
电机驱动器
低漏-源通态电阻:RDS(接通)= 5.5 mΩ(典型值)(VGS = 10 V)
低泄漏电流:IDSS = 10 μA(最大值)(VDS = 100 V)
增强模式:Vth = 2.0 至 4.0 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 55 A
最大漏源电压 100 V
封装类型 DPAK
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 6.5 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 157 W
晶体管配置
最大栅源电压 ±20 V
每片芯片元件数目 1
宽度 7mm
典型栅极电荷@Vgs 49 nC @ 10 V
长度 6.5mm
最高工作温度 +175 °C
暂无
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