80 V，单个 N 通道 Trench MOSFET，N 通道增强模式场效应晶体管 (FET) 采用无引线中等功率 DFN2020MD-6 (SOT1220) 表面贴装器件 (SMD) 塑料封装，采用 Trench MOSFET 技术。
Trench MOSFET 技术
小型无引线超薄型 SMD 塑料封装：2 x 2 x 0.65 mm
裸露的散热垫，用于提供极佳的热传导
100% 镀锡可焊接侧垫，用于光学焊接检验
符合 AEC-Q101
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 2.8 A |
| 最大漏源电压 | 80 V |
| 封装类型 | DFN2020MD-6，SOT1220 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 8 |
| 最大漏源电阻值 | 445 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.7V |
| 最小栅阈值电压 | 1.3V |
| 最大功率耗散 | 15.6 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | 20 V |
| 每片芯片元件数目 | 3 |
| 长度 | 2.1mm |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 宽度 | 2.1mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 4.8 nC @ 10 V |
