RD3S100CN is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
Low on-resistance
Fast switching speed
Drive circuits can be simple
Parallel use is easy
Pb-free plating
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 通道类型 | N |
| 最大连续漏极电流 | 10 A |
| 最大漏源电压 | 190 V |
| 封装类型 | TO-252 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 |
| 最大漏源电阻值 | 182 mΩ |
| 通道模式 | 增强 |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V |
| 最小栅阈值电压 | 0.5V |
| 最大功率耗散 | 85 W |
| 晶体管配置 | 单 |
| 最大栅源电压 | ±20 V |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 6.4mm |
| 长度 | 6.8mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 52 nC @ 10 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
