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Toshiba TJ8S06M3L MOSFET

订 货 号:TJ8S06M3L      品牌:东芝_Toshiba

库存数量:10             品牌属性:

RoHS:符合

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Toshiba TJ8S06M3L MOSFET
产品详细信息

应用
汽车
电机驱动器
直流 - 直流转换器
开关稳压器
特点
低漏-源通态电阻:RDS(接通)= 80 mΩ(典型值)(VGS = -10 V)
低泄漏电流:IDSS = -10 μA(最大值)(VDS = -60V)
增强模式:Vth = -2.0 至 -3.0 V(VDS = -10 V,ID = -1 mA)


属性 数值
通道类型 P
最大连续漏极电流 8 A
最大漏源电压 60 V
封装类型 DPAK
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 130 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 3V
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 27 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+10 V
典型栅极电荷@Vgs 19 nC @ 10 V
长度 6.5mm
最高工作温度 +175 °C
每片芯片元件数目 1
宽度 7mm
暂无
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