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IXYS MMIX1F160N30T MOSFET

订 货 号：MMIX1F160N30T      品牌：IXYS/艾赛思

库存数量：10             品牌属性：

RoHS：符合

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IXYS MMIX1F160N30T MOSFET
产品详细信息

N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ GigaMOS™ 系列

MOSFET 晶体管，IXYS

IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 100 A
最大漏源电压 300 V
封装类型 SMPD
安装类型 表面贴装
引脚数目 24
最大漏源电阻值 20 MΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 5V
最大功率耗散 570 W
晶体管配置 单
最大栅源电压 -30 V、+30 V
宽度 23.25mm
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
长度 25.25mm
典型栅极电荷@Vgs 376 nC @ 10 V
最高工作温度 +150 °C
暂无
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