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Infineon IRFU120NPBF MOSFET

订 货 号:IRFU120NPBF      品牌:IR/国际整流器

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Infineon IRFU120NPBF MOSFET
产品详细信息

N 通道功率 MOSFET 100V,Infineon

Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

Infineon IRFU120N 是 100V 单 N 通道功率 MOSFET ,采用 I-Pak 封装。IR MOSFET 系列功率 MOSFET 采用久经考验的硅工艺,提供广泛的器件产品组合,支持各种应用,如直流电动机,变频器, SMPS ,照明,负载开关以及电池供电应用。

表面安装
直向引线
快速切换
无导线

MOSFET 晶体管,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 9.4 A
最大漏源电压 100 V
封装类型 IPAK (TO-251)
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 210 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4V
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 48 W
晶体管配置
最大栅源电压 -20 V、+20 V
长度 6.6mm
典型栅极电荷@Vgs 25 nC @ 10 V
晶体管材料 Si
最高工作温度 +175 °C
每片芯片元件数目 1
宽度 2.3mm
暂无
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