分类:

当前位置: 首页 > 工业电子产品 > 无源元器件 > MOSFET > NMOSFET

+比较

onsemi FQD1N60CTM MOSFET

订 货 号:FQD1N60CTM      品牌:Onsemi/安森美

库存数量:10             品牌属性:

RoHS:符合

市 场 价:¥0.00          品 牌 商:¥0.00

-
+

公司基本资料信息

联系人:(女士)
电 话:
手 机:
地 址:
通 讯:    
主营产品:
店铺主页

您还不是会员,无法查看相关信息

去登录
  • 替代产品
  • 关联产品

推荐商品

  • 产品介绍
  • 产品属性
  • 相关资料
  • 产品评价(0)
onsemi FQD1N60CTM MOSFET
产品详细信息

QFET® N 通道 MOSFET,高达 5.9A,Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。

半导体 MOSFET 晶体管,半

在半自动模式下, MOSFET 器件的组合相当庞大,包括高电压 (250V)> 和低电压 (250V)< 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
在半 MOSFET 上,可提供卓越的设计可靠性,从降低的电压峰值和过冲,到降低接点电容和反向恢复电荷,以及消除额外的外部组件,从而使系统保持较长的运行时间。


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 1 A
最大漏源电压 600 V
封装类型 DPAK (TO-252)
安装类型 表面贴装
引脚数目 3
最大漏源电阻值 11.5 Ω
通道模式 增强
最小栅阈值电压 2V
最大功率耗散 2.5 W
晶体管配置
最大栅源电压 -30 V、+30 V
长度 6.6mm
宽度 6.1mm
每片芯片元件数目 1
晶体管材料 Si
最高工作温度 +150 °C
典型栅极电荷@Vgs 4.8 nC @ 10 V
暂无
正在载入评论详细...