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Infineon IPP60R190P6XKSA1 MOSFET

订 货 号:IPP60R190P6XKSA1      品牌:英飞凌_Infineon

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Infineon IPP60R190P6XKSA1 MOSFET
产品详细信息

Infineon CoolMOS™E6/P6 系列功率 MOSFET

Infineon 系列的 CoolMOSE6 和 P6 系列 MOSFET。 这些高效率设备可用于多种应用,包括功率因数校正 (PFC)、照明和消费设备以及太阳能、电信和服务器。

MOSFET 晶体管,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


属性 数值
通道类型 N
最大连续漏极电流 20 A
最大漏源电压 650 V
封装类型 TO-220
安装类型 通孔
引脚数目 3
最大漏源电阻值 190 mΩ
通道模式 增强
最大栅阈值电压 4.5V
最小栅阈值电压 3.5V
最大功率耗散 151 W
晶体管配置
最大栅源电压 -30 V、+30 V
最高工作温度 +150 °C
宽度 4.57mm
每片芯片元件数目 1
典型栅极电荷@Vgs 37 nC @ 10 V
长度 10.36mm
晶体管材料 Si
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