DGTD120T25S1PT 系使用高级场截止沟道 IGBT 技术生产，可提供低 VCE(sat)、极佳的质量和高切换性能。
高速切换和低 VCE (sat) 损耗
VCE(sat) = 2.0V @ IC = 25A
高输入阻抗
trr = 100ns (typ) @ diF/dt = 500A/μs
超软、快速恢复防并联二极管
超窄 VF 分配控制
正温度系数，易于并联
最大接点温度 175°C
无铅表面
无卤素和无锑。“绿色”设备
应用
电动机驱动器
UPS
电焊机
光伏逆变器
IH 炊具
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 50 A，100（脉冲）A |
| 最大集电极-发射极电压 | 1200 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V |
| 晶体管数 | 1 |
| 最大功率耗散 | 348 W |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 尺寸 | 16.26 x 5.31 x 21.46mm |
