DGTD65T50S1PT 系使用高级场截止沟道 IGBT 技术生产，可提供极佳的质量和高切换性能。
高速切换和低功率损耗
VCE(sat) = 1.85V @ IC = 50A
高输入阻抗
trr = 80ns (typ) @ diF/dt = 1000A/μs
Eoff = 0.55mJ @ TC=25°C
最大接点温度 175°C
无铅表面
无卤素和无锑。“绿色”设备
应用
UPS
电焊机
光伏逆变器
IH 炊具
| 属性 | 数值 |
|---|---|
| 最大连续集电极电流 | 100 A，200（脉冲）A |
| 最大集电极-发射极电压 | 650 V |
| 最大栅极发射极电压 | ±20V |
| 最大功率耗散 | 375 W |
| 晶体管数 | 1 |
| 封装类型 | TO-247 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 引脚数目 | 3 |
| 晶体管配置 | 单 |
| 尺寸 | 16.26 x 5.31 x 21.46mm |
