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onsemi NXH100B120H3Q0STG IGBT

订 货 号:NXH100B120H3Q0STG      品牌:意法半导体_ST

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onsemi NXH100B120H3Q0STG IGBT
产品详细信息

NXH100B120H3Q0 是一款电源模块,包含一个双升压级,由两个 50A/1200V IGBT、两个 20A/1200V SiC 二极管和两个用于 IGBT 的 25A/1600V 反并联二极管组成。包括两个用于浪涌电流限制的附加 25A/1600V 旁路整流器。包括一个板载热敏电阻。

IGBT 规格:VCE(SAT) = 1.77 V,ESW = 2180 uJ
快速 IGBT,带低 VCE (SAT),用于提高效率
25 A/1600 V 旁通和防并联二极管
低 VF 旁路二极管,可在旁路模式下提高出色的效率
SiC 整流器规格:VF = 1.44 V
SiC 二极管,确保高速切换
提供焊接引脚和压配引脚选项
安装灵活
应用
mppt 升压级
电池充电器升压级


属性 数值
最大集电极-发射极电压 1200 V
最大栅极发射极电压 ±20V
最大功率耗散 186 W
封装类型 Q0BOOST
配置
安装类型 表面贴装
通道类型 N
引脚数目 22
晶体管配置 双路
尺寸 66.2 x 32.8 x 11.9mm
暂无

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