当前位置: 首页 > 工业电子产品 > 无源元器件 > IGBT器件 > 低功率IGBT

+比较

onsemi FGH75T65SQDNL4 IGBT

订 货 号:FGH75T65SQDNL4      品牌:安森美_Onsemi

库存数量:10             品牌属性:

品牌商价:¥0.00

环 球 价: 登陆后可查看

-
+

公司基本资料信息







  • 关联产品
  • 替代产品
  • 产品介绍
  • 产品属性
  • 相关资料
  • 产品评价(0)
onsemi FGH75T65SQDNL4 IGBT
产品详细信息

这款绝缘栅级双极晶体管 (IGBT) 具有坚固且经济高效的 Field Stop IV Trench 结构,可在苛刻的切换应用中提供卓越的性能,同时提供低通态状态电压和最小的切换损耗。此外,这款新设备采用 TO-247-4L 封装,与标准 TO-247-3L 封装相比可显著降低 EON 损耗。IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。该设备内置了一个柔软且快速的共封装续流二极管,具有低正向电压。

极为高效的沟道,采用场截止技术
TJmax = 175°C
更好的栅极控制,降低切换损耗
独立发射器驱动引脚
TO-247-4L,实现最小的 EON 损耗
专为高速切换而优化
它们是无铅器件
光伏逆变器
不间断电源变频器
中性点钳位拓扑


属性 数值
最大连续集电极电流 200 A
最大集电极-发射极电压 650 V
最大栅极发射极电压 ±20V
最大功率耗散 375 W
晶体管数 1
封装类型 TO-247
安装类型 通孔
通道类型 P
引脚数目 4
开关速度 1MHz
晶体管配置
尺寸 15.8 x 5.2 x 22.74mm
暂无

正在载入评论详细...