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onsemi FGA25N120ANTDTU IGBT

订 货 号:FGA25N120ANTDTU      品牌:安森美_Onsemi

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onsemi FGA25N120ANTDTU IGBT
产品详细信息

分离式 IGBT、1000V 及以上,Fairchild Semiconductor

IGBT 分立件和模块,Fairchild Semiconductor

绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三极管功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。


属性 数值
最大连续集电极电流 50 A
最大集电极-发射极电压 1200 V
最大栅极发射极电压 ±20V
最大功率耗散 312 W
封装类型 TO-3P
安装类型 通孔
通道类型 N
引脚数目 3
开关速度 1MHz
晶体管配置
尺寸 15.8 x 5 x 18.9mm
暂无

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