onsemi FQB4N80TM MOSFET FQB4N80 / FQI4N80 800V N-Channel MOSFET Data Sheet
onsemi FQB4N80TM MOSFET FQB4N80 / FQI4N80 800V N-Channel MOSFET Data Sheet
onsemi FQB4N80TM MOSFET FQB4N80 / FQI4N80 800V N-Channel MOSFET Data Sheet
onsemi FQB4N80TM MOSFET FQB4N80 / FQI4N80 800V N-Channel MOSFET Data Sheet

QFET? N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor 的新型 QFET? 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。
它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET? 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。